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M5M51R16ART-10HI

更新时间: 2024-02-19 02:08:38
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 491K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

M5M51R16ART-10HI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:1.8/2.7 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:1 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M51R16ART-10HI 数据手册

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