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M5M5180AFP-20T

更新时间: 2024-11-29 15:39:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
Cache SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

M5M5180AFP-20T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M5180AFP-20T 数据手册

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