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M5M51016BRT-70LL PDF预览

M5M51016BRT-70LL

更新时间： 2024-11-28 14:43:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

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M5M51016BRT-70LL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-R, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.9
最长访问时间：70 ns备用内存宽度：16
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2-R
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：MIXMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M51016BRT-70LL 数据手册

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9Jul ,1997
MITSUBISHILSIs
M5M51016BTP,RT-70L,-10L,  
-70LL,-10LL  
1048576-BIT(65536-WORDBY16-BIT)CMOSSTATICRAM
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M51016BTP, RT are a 1048576-bit CMOS static RAM  
organized as 65536 word by 16-bit which are fabricated using high-  
performance triple polysilicon CMOS technology. The use of  
resistive load NMOS cells and CMOS periphery result in a high  
density and low power static RAM.  
NC  
A12  
A7  
1
44 NC  
43 BC1  
42 BC2  
BYTE  
2
3
4
CONTROL  
They are low stand-by current and low operation current and ideal  
for the battery back-up application.  
INPUTS  
A6  
41  
A14  
The M5M51016BTP,RT are packaged in a 44-pin thin small  
outline package which is a high reliability and high density surface  
mount device (SMD). Two types of devices are available. M5M510  
16BTP(normal lead bend type package), M5M51016BRT (reverse  
lead bend type package). Using both types of devices, it becomes  
very easy to design a printed circuit board.  
ADDRESS  
INPUTS  
A5  
5
6
7
40 A15  
ADDRESS  
INPUTS  
A4  
39  
A13  
WRITE  
CONTROL  
A3  
A2  
A1  
A0  
38 W  
INPUTS  
8
9
37 A8  
36  
A9  
ADDRESS  
INPUTS  
10  
35 A11  
CHIP SELECT  
INPUT  
CS  
FEATURES  
11  
12  
34 A10  
(0V)GND  
33 GND(0V)  
Power supply current  
OUTPUT ENABLE  
Access time  
Type name  
OE 13  
NC 14  
DQ1 15  
DQ2 16  
32  
NC  
INPUT  
Active  
(max)  
stand-by  
(max)  
(max)  
31  
30  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
100µA  
(VCC = 5.5V)  
70ns  
100ns  
M5M51016BTP,RT-70L  
M5M51016BTP,RT-10L  
29  
28  
27  
DQ3  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
17  
18  
20µA  
(VCC = 5.5V)  
0.3µA  
30mA  
(1MHz)  
DATA DQ4  
INPUTS/  
M5M51016BTP,RT-70LL  
M5M51016BTP,RT-10LL  
70ns  
100ns  
DQ5 19  
OUTPUTS  
26  
25  
24  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
(VCC = 3.0V,  
typ)  
DQ6  
DQ7  
20  
21  
DQ8 22  
23 VCC(5V)  
Single +5.0V power supply  
Low stand-by current 0.3µA (typ.)  
Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 44P3W - H (400mil TSOP Normal Bend)  
Easy memory expansion and power down by CS, BC 1 & BC2  
Data hold on +2V power supply  
Three-state outputs : OR-tie capability  
OE prevents data contention in the I/O bus  
Common data I/O  
NC  
44  
1
NC  
A12  
A7  
BYTE BC1  
43  
42  
41  
2
3
4
CONTROL  
BC2  
INPUTS  
Package  
M5M51016BTP,RT  
..............................  
44pin 400mil TSOP(II)  
A14  
A15  
A13  
A6  
A5  
A4  
ADDRESS  
INPUTS  
40  
39  
38  
5
6
7
ADDRESS  
INPUTS  
WRITE  
CONTROL  
INPUTS  
W
A3  
A2  
A1  
APPLICATION  
Small capacity memory units  
A8  
37  
36  
35  
8
9
A9  
ADDRESS  
INPUTS  
A11  
A10  
10 A0  
CHIP SELECT  
INPUT  
34  
11 CS  
(0V)GND 33  
NC 32  
12 GND(0V)  
OUTPUT ENABLE  
13 OE  
14 NC  
INPUT  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
31  
30  
15  
DQ1  
16  
29  
28  
DQ2  
DATA  
DQ13  
17 DQ3  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DQ12 27  
18  
DQ4  
DQ5  
DQ11  
DQ10  
19  
26  
25  
20 DQ6  
21  
DQ9 24  
23  
DQ7  
22 DQ8  
(5V)VCC  
Outline 44P3W - J (400mil TSOP Reverse Bend)  
NC : NO CONNECTION  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
1234567

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与M5M51016BRT-70LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M51016BRT-70LL-I MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
M5M51016BRT-70LLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44
M5M51016BRT-70LT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44
M5M51016BRV-10L MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BRV-10LL MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BRV-55L MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BTP-10L-I MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51016BTP-10LL-I MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51016BTP-10LLT MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M51016BTP-10LT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

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