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M5M51016BRT-70LLT

更新时间: 2024-11-28 14:38:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 287K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44

M5M51016BRT-70LLT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:SOP,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-PDSO-G44
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:MIXMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M51016BRT-70LLT 数据手册

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