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M5M51016BRT-70LL-I PDF预览

M5M51016BRT-70LL-I

更新时间： 2024-11-28 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 89K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

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M5M51016BRT-70LL-I 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-R, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.9
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2-R
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M5M51016BRT-70LL-I 数据手册

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9 9JuJlu,1l ,9199797  
MITSUBISHILSIs
M5M51016BTP,RT-70L,-10L-I,  
-70LL,-10LL-I  
1048576-BIT(65536-WORDBY16-BIT)CMOSSTATICRAM
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M51016BTP, RT are a 1048576-bit CMOS static RAM  
organized as 65536 word by 16-bit which are fabricated using  
high-performance triple polysilicon CMOS technology. The use of  
resistive load NMOS cells and CMOS periphery result in a high  
density and low power static RAM.  
1
44  
NC  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
BYTE  
2
3
4
43  
42  
41  
BC1  
BC2  
A14  
A15  
CONTROL  
INPUTS  
They are low stand-by current and low operation current and ideal  
for the battery back-up application.  
ADDRESS  
INPUTS  
The M5M51016BTP,RT are packaged in a 44-pin thin small  
outline package which is a high reliability and high density surface  
mount device (SMD). Two types of devices are available.  
M5M51016BTP(normal lead bend type package), M5M51016BRT  
(reverse lead bend type package). Using both types of devices, it  
becomes very easy to design a printed circuit board.  
5
6
7
40  
39  
38  
ADDRESS  
INPUTS  
A13  
W
WRITE  
CONTROL  
INPUTS  
8
9
37  
36  
35  
A8  
A9  
A11  
ADDRESS  
INPUTS  
10  
CHIP SELECT  
INPUT  
CS 11  
34  
33  
32  
FEATURES  
A10  
(0V)GND 12  
GND(0V)  
NC  
Power supply current  
Access time  
(max)  
OUTPUT ENABLE  
13  
OE  
NC  
Type name  
INPUT  
Active  
(max)  
stand-by  
(max)  
14  
15  
16  
31  
30  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ1  
DQ2  
200µA  
(VCC = 5.5V)  
70ns  
100ns  
M5M51016BTP,RT-70L  
M5M51016BTP,RT-10L  
29  
28  
27  
DATA  
INPUTS/  
DQ3 17  
DQ4 18  
19  
DQ13  
40µA  
(VCC = 5.5V)  
0.3µA  
(VCC = 3.0V,  
typ)  
30mA  
(1MHz)  
DATA  
DQ12 OUTPUTS  
INPUTS/  
M5M51016BTP,RT-70LL  
M5M51016BTP,RT-10LL  
70ns  
100ns  
OUTPUTS DQ5  
26  
25  
24  
DQ11  
DQ6 20  
DQ10  
DQ7 21  
DQ9  
22  
DQ8  
23  
VCC(5V)  
Single +5.0V power supply  
Low stand-by current 0.3µA (typ.)  
Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 44P3W - H (400mil TSOP Normal Bend)  
Easy memory expansion and power down by CS, BC1 & BC2  
Data hold on +2V power supply  
Three-state outputs : OR-tie capability  
OE prevents data contention in the I/O bus  
Common data I/O  
44  
1
NC  
NC  
A12  
A7  
BYTE  
CONTROL  
INPUTS  
BC1 43  
BC2 42  
2
3
4
Package  
M5M51016BTP,RT  
41  
A14  
A15  
A13  
W
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CS  
..............................  
ADDRESS  
INPUTS  
44pin 400mil TSOP(II)  
40  
39  
38  
5
6
7
ADDRESS  
INPUTS  
WRITE  
CONTROL  
INPUTS  
APPLICATION  
Small capacity memory units  
A8  
37  
36  
35  
8
9
A9  
ADDRESS  
INPUTS  
10  
A11  
A10  
CHIP SELECT  
INPUT  
34  
33  
32  
11  
12  
13  
(0V)GND  
NC  
GND(0V)  
OUTPUT ENABLE  
OE  
INPUT  
DQ16 31  
DQ15 30  
14  
15  
16  
NC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ14  
29  
DATA  
INPUTS/  
DQ13 28  
27  
17  
18  
19  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
OUTPUTS DQ12  
DQ11 26  
DQ10 25  
20  
21  
22  
24  
DQ9  
DQ7  
DQ8  
23  
(5V)VCC  
Outline 44P3W - J (400mil TSOP Reverse Bend)  
NC : NO CONNECTION  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
1234567

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与M5M51016BRT-70LL-I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M51016BRT-70LLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44
M5M51016BRT-70LT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44
M5M51016BRV-10L MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BRV-10LL MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BRV-55L MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO40
M5M51016BTP-10L-I MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51016BTP-10LL-I MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51016BTP-10LLT MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M51016BTP-10LT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
M5M51016BTP-10VL-I MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM

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