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M5M4V4400RT-6S

更新时间: 2024-11-29 14:43:19
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 826K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

M5M4V4400RT-6S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2-R, TSSOP20/26,.36针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSSOP20/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.00005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

M5M4V4400RT-6S 数据手册

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EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
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EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M4V4405CJ-7 MITSUBISHI

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EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
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EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM