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M5M4V4400RT-6ST

更新时间： 2024-11-30 08:27:59

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	826K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

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M5M4V4400RT-6ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
长度：	17.14 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M4V4400RT-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M4V4405CJ	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M4V4405CJ-6	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
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M5M4V4405CJ-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
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M5M4V4405CTP-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M4V4405CTP-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM
M5M4V4405CTP-7S	MITSUBISHI	获取价格	EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM