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M5M4V17800DTP-6

更新时间: 2024-11-27 05:49:47
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 1078K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28

M5M4V17800DTP-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP28,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.35最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP28,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M4V17800DTP-6 数据手册

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