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M5M416100CJ-6

更新时间： 2024-02-01 15:45:53
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 173K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-26/24

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M5M416100CJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ24/26,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PDSO-J24
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：3.55 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm

M5M416100CJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M416100C J,TP -5, -6, -7, -5S, -6S, -7S  
FAST PAGE MODE 16777216-BIT ( 16777216-WORD BY 1-BIT ) DYNAMIC RAM  
SELF REFRESH SPECIFICATIONS  
Self refresh devices are denoted by "S" after speed item, like -5S / -6S / -7S. The other characteristics  
and requirements than the below are same as normal devices.  
(Ta=0 ~70°C, Vcc=5V±10%, Vss=0V, unless otherwise noted) (Note 2)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Test conditions  
Min  
Typ  
Max  
CAS before RAS refresh cycling  
<
,or, RAS cycling & CAS 0.2V  
=
<
WE 0.2V  
=
>
,or, WE Vcc-0.2V  
=
Average supply current  
from Vcc  
Slow - Refresh cycle  
(note 5)  
<
A0 ~A11 0.2V  
=
ICC8 (AV)  
M5M416100C ( S )  
>
µA  
500  
,or, A0 ~A11 Vcc-0.2V  
=
tREF=128mS (4096cycles)  
output = OPEN  
tRAS=tRASmin.~500ns  
Average supply current  
from Vcc  
Self - Refresh cycle  
(note 5)  
<
RAS = CAS 0.2V  
=
M5M416100C ( S )  
ICC9 (AV) *  
200  
µA  
output = OPEN  
(Ta=0 ~70°C, Vcc=5V±10%, Vss=0V, unless otherwise noted See notes 12,13)  
Limits  
TIMING REQUIREMENTS  
M5M416100C-5S M5M416100C-6S M5M416100C-7S  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Min  
100  
90  
Max  
Min  
100  
110  
- 50  
10  
Max  
Min  
100  
130  
- 50  
10  
Max  
µs  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRASS  
tRPS  
tCHS  
tRSR  
tRHR  
Self Refresh RAS low pulse width  
Self Refresh RAS high precharge time  
Self Refresh RAS hold time  
- 50  
10  
Read setup time before RAS low  
Read hold time after RAS low  
10  
10  
15  
SELF REFRESH ENTRY & EXIT CONDITIONS  
(1) In case of distributed refresh  
The last / first full refresh cycles (4K) must be made within tNS / tSN before / after self refresh ,  
on the condition of tNS<= 64 ms and tSN <= 64 ms.  
tSN  
tNS  
Self refresh period  
DISTRIBUTED REFRESH  
< 4K / 64 ms >  
DISTRIBUTED REFRESH  
< 4K / 64 ms >  
(2) In case of burst refresh  
The last / first full refresh cycles (4K) must be made within tNS / tSN before / after self refresh ,  
<
on the condition of tNS + tSN 64 ms.  
=
tSN  
tNS  
Self refresh period  
BURST REFRESH  
< 4K / 64 ms >  
BURST REFRESH  
< 4K / 64 ms >  
Challenging to LowCost &  
HighPerformance  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
7
DRAM  
DRAM  
Oct. 1997  
1...45678910...21

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与M5M416100CJ-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M416100J-7 MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100J-7T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100J-8T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
M5M416100RT-7T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
M5M416160BJ-6ST MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M416160BJ-8ST MITSUBISHI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
M5M416160BRT-6T MITSUBISHI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M416160BRT-7T MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M416160BRT-8ST MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
M5M416160BTP-6S MITSUBISHI

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