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M5M416160BRT-8ST

更新时间: 2024-01-09 08:12:17
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 975K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

M5M416160BRT-8ST 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M5M416160BRT-8ST 数据手册

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