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M5M416100CJ-6

更新时间: 2024-01-29 11:26:41
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 173K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-26/24

M5M416100CJ-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ24/26,.34
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.91访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:3.55 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm

M5M416100CJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M416100C J,TP -5, -6, -7, -5S, -6S, -7S  
FAST PAGE MODE 16777216-BIT ( 16777216-WORD BY 1-BIT ) DYNAMIC RAM  
TEST Mode SET Cycle  
tRAS  
tRP  
tRP  
VIH  
RAS  
VIL  
tRPC  
tRPC  
tCRP  
tCSR  
tCHR  
VIH  
VIL  
CAS  
tCPN  
tASR  
VIH  
VIL  
ROW  
ADDRESS  
A0 ~ A11  
tWHR  
tWSR  
tRCH  
VIH  
VIL  
W
VIH  
VIL  
D
Q
tOFF  
Hi-Z  
VOH  
VOL  
Note : This cycle can be used for initialized cycle after power-up , however entried into Test Mode.  
Challenging to LowCost &  
HighPerformance  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
21  
DRAM  
DRAM  
Oct. 1997  

与M5M416100CJ-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M416100J-7 MITSUBISHI

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