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M5M29FB160AVP-80 PDF预览

M5M29FB160AVP-80

更新时间： 2024-11-21 15:39:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 151K
描述
Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48

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M5M29FB160AVP-80 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.9最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：NO
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：128/256 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M5M29FB160AVP-80 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M29FB/T160AVP,RV-80,-10,-8I  
16,777,216-BIT (2,097,152-WORD BY 8-BIT / 1,048,576-WORD BY16-BIT)  
CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The MITSUBISHI M5M29FB/T160AVP,RV are 3.3V-only high  
speed 16,777,216-bit CMOS Flash Memories suitable for mobile  
and personal computing, and communication products.  
The M5M29FB/T160AVP,RV are fabricated by CMOS technology  
for the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR)  
architecture for the memory cells, and are available in 48pin  
TSOP(I).  
1
2
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
BYTE#  
3
GND  
4
DQ15/A-1  
5
DQ7  
6
DQ14  
7
DQ6  
8
DQ13  
9
DQ5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
WE#  
RP#  
NC  
WP#  
RY/BY#  
A18  
A17  
A7  
FEATURES  
Organization  
.................................  
1,048,576 word x 16bit  
2,097,152 word x 8 bit  
VCC = 2.7V~3.6V  
M5M29FB/T160AVP  
.................................  
..............................  
DQ2  
Supply voltage ................................  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
GND  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
...............  
.............  
Access time  
80/100ns (VCC =3.0V~3.6V,Max)  
100/120ns (VCC =2.7V~3.6V,Max)  
CE#  
.......................  
A0  
Wide temperature range  
-80, -10 : 0~70°C  
.......................  
-8I  
: -40~85°C  
Outline  
Power Dissipation  
48P3E-B(12 x 20mm 48pin TSOP type-I :VP/Normal bend)  
.................................  
.................................  
.................................  
.................................  
Read  
90 mW (Max.)  
Program  
108 mW (Max.)  
144 mW (Max.)  
18 µW (Max.)  
0.33µW (typ.)  
48  
A16  
1
2
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A19  
NC  
WE#  
RP#  
NC  
Erase  
BYTE#  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
Standby  
3
GND  
DQ15/A-1  
DQ7  
4
..................  
Deep power down mode  
5
DQ14  
6
DQ6  
7
Auto program  
8
DQ13  
DQ5  
9
.................................  
.................................  
Program Time  
Program Unit  
4ms (typ.)  
DQ12  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
128word(256byte)  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
DQ2  
M5M29FB/T160ARV  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
Boot block  
WP#  
RY/BY#  
A18  
.................................  
40 ms (typ.)  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
OE#  
A17  
A7  
.................................  
..............................  
.................................  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 31  
A6  
A5  
Parameter block  
A4  
A3  
A2  
A1  
Main block  
GND  
CE#  
A0  
.................................  
Erase block  
..............................  
..............................  
M5M29FB160A  
M5M29FT160A  
Bottom boot block type  
Top boot block type  
Outline  
48P3E-C(12x20mm 48pin TSOP type-I :RV/Reverse bend)  
.........................  
Program/Erase cycles  
100K cycles  
NC : NO CONNECTION  
Other Functions  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Package  
48-Lead 12mmx 20mm TSOP (type-I) :0.5mm pin pitch  
APPLICATION  
Wireless Communications, Handheld PC, PDA  
1
Feb. 1998 , Rev.1.7  
1234567...15

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与M5M29FB160AVP-80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M29FB160AVP-8I MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29FB200FP-85 MITSUBISHI

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 		Flash, 512KX8, 85ns
M5M29FB800FP MITSUBISHI

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 		8,388,608-BIT (1048,576-576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT)CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ER
M5M29FB800FP-10 MITSUBISHI

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 		8,388,608-BIT (1048,576-WORD BY 8-BIT / 524,288-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE
M5M29FB800FP-101 MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX8, 100ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

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