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M5M29FB800VP-101

更新时间: 2024-09-18 09:08:07
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 115K
描述
Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48

M5M29FB800VP-101 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最长访问时间:100 ns
其他特性:USER CONFIGURABLE AS 512K X 16JESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:12 mm

M5M29FB800VP-101 数据手册

  

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