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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 64 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 页面大小： | 4 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2/3.3,3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 1M | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M58LV064A150ZA6 | NUMONYX | Flash, 4MX16, 150ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 |
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| M58LV064A150ZA6T | STMICROELECTRONICS | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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| M58LV064A150ZA6T | NUMONYX | Flash, 4MX16, 150ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 |
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| M58LV064B | STMICROELECTRONICS | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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| M58LV064B150N1T | STMICROELECTRONICS | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
获取价格 |
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| M58LV064B150N6T | STMICROELECTRONICS | 64 Mbit 4Mb x16 or 2Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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