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M58LW032A11N1T

更新时间： 2024-01-16 21:46:17

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
61页	341K
描述
2MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56

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技术参数
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M58LW032A11N1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.47
最长访问时间：	110 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	56
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

M58LW032A11N1T 数据手册

M58LW032A

32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■ WIDE x16 DATA BUS for HIGH BANDWIDTH

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-

gram, Erase and Read operations

– V

= 1.8 to V for I/O Buffers

DDQ

■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ

– Synchronous Burst read

TSOP56 (N)

14 x 20 mm

– Asynchronous Random Read

– Asynchronous Address Latch Controlled

Read

– Page Read

■ ACCESS TIME

TBGA

– Synchronous Burst Read up to 56MHz

– Asynchronous PageMode Read 90/25nsand

110/25ns

TBGA64 (ZA)

10 x 13 mm

– Random Read 90ns, 110ns.

■ PROGRAMMING TIME

– 16 Word Write Buffer

– 18µs Word effective programming time

■ 64 UNIFORM 32 KWord MEMORY BLOCKS

■ BLOCK PROTECTION/ UNPROTECTION

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 128 bit PROTECTION REGISTER

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ 100, 000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code M58LW032A: 8816h

July 2002

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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