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M58LW032C110N6F

更新时间： 2024-02-29 13:07:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
61页 796K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory

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M58LW032C110N6F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.66Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：32端子数量：56
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/3.3,3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.00004 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M58LW032C110N6F 数据手册

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M58LW032C  
32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ WIDE x16 DATA BUS for HIGH BANDWIDTH  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-  
DD  
gram, Erase and Read operations  
– V  
= 1.8 to V for I/O Buffers  
DD  
DDQ  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
TSOP56 (N)  
14 x 20 mm  
– Asynchronous Random Read  
– Asynchronous Address Latch Controlled  
Read  
– Page Read  
TBGA  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 56MHz  
– Asynchronous Page Mode Read 90/25ns,  
110/25ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
– Random Read 90ns, 110ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 16 Word Write Buffer  
– 12µs Word effective programming time  
■ 32 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS  
■ ENHANCED SECURITY  
– Block Protection/ Unprotection  
– Smart Protection: irreversible block locking  
system  
– V  
signal for Program Erase Enable  
PEN  
– 128 bit Protection Register with 64 bit Unique  
Code in OTP area  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code M58LW032C : 8822h  
April 2003  
1/61  
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与M58LW032C110N6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW032C110N6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032C110ZA1 STMICROELECTRONICS

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