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M53611601BE0-C50

更新时间： 2024-11-11 20:06:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	396K
描述
Fast Page DRAM Module, 16MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72

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M53611601BE0-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	36
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.012 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M53611601BE0/BJ0-C

4Byte 16Mx36 SIMM

(16Mx4 & 16Mx1 base)

Revision 0.1

June 1998

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M53611601BE0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53611601BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53611601BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
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M53611601CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53613201BE0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53613201BE0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53613201BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53613201BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 32MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53613201CEO-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 32MX36, 50ns, CMOS, PSMA72,