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M48Z35Y-70MH1E PDF预览

M48Z35Y-70MH1E

更新时间: 2024-11-13 04:42:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 219K
描述
256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM

M48Z35Y-70MH1E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP28,.5
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.51Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:SNAPHAT BATTERY TO BE ORDERED SEPARATELY
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e3
长度:18.1 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.05 mm最大待机电流:0.003 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:8.56 mm
Base Number Matches:1

M48Z35Y-70MH1E 数据手册

 浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M48Z35Y-70MH1E的Datasheet PDF文件第7页 
M48Z35  
M48Z35Y  
256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM  
Features  
Integrated, ultra low power SRAM, power-fail  
control circuit, and battery  
READ cycle time equals WRITE cycle time  
28  
Automatic power-fail chip deselect and WRITE  
1
protection  
WRITE protect voltages:  
PCDIP28 (PC)  
(V  
= Power-fail Deselect Voltage)  
Battery CAPHAT  
PFD  
– M48Z35: V = 4.75 to 5.5V  
CC  
4.5V V  
4.75V  
PFD  
– M48Z35Y: 4.5 to 5.5V  
SNAPHAT (SH)  
Battery  
4.2v V 4.5v  
pfd  
Self-contained battery in the CAPHAT™ DIP  
package  
Packaging includes a 28-lead SOIC and  
®
SNAPHAT top (to be ordered separately)  
Pin and function compatible with JEDEC  
standard 32K x 8 SRAMs  
28  
SOIC package provides direct connection for a  
1
SNAPHAT top which contains the battery  
RoHS compliant  
SOH28 (MH)  
Lead-free second level interconnect  
November 2007  
Rev 7  
1/23  
www.st.com  
1

M48Z35Y-70MH1E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M48Z35Y-70MH6E STMICROELECTRONICS

类似代替

32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 70ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-28
M48Z35Y-70MH1F STMICROELECTRONICS

类似代替

256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM
M48Z35AY-70MH1TR STMICROELECTRONICS

功能相似

256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM

与M48Z35Y-70MH1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M48Z35Y-70MH1F STMICROELECTRONICS

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256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM
M48Z35Y-70MH1TR STMICROELECTRONICS

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256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM
M48Z35Y-70MH6 STMICROELECTRONICS

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256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM
M48Z35Y-70MH6E STMICROELECTRONICS

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32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 70ns, PDSO28, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-28
M48Z35Y-70MH6F STMICROELECTRONICS

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暂无描述
M48Z35Y-70MH6TR STMICROELECTRONICS

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256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM
M48Z35Y-70PC1 STMICROELECTRONICS

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256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM
M48Z35Y-70PC1E STMICROELECTRONICS

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256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM
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256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM
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256 Kbit 32Kb x8 ZEROPOWER SRAM