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M471B6474DZ1-CF7

更新时间: 2024-02-03 06:27:26
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
45页 805K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204

M471B6474DZ1-CF7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:DIMM, DIMM204,24针数:204
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N204
内存密度:4294967296 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:204字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:64MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM204,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.04 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.12 mA最大供电电压 (Vsup):1.575 V
最小供电电压 (Vsup):1.425 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M471B6474DZ1-CF7 数据手册

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Unbuffered SoDIMM  
DDR3 SDRAM  
Revision History  
Revision  
1.0  
Month  
March  
July  
Year  
2008  
2008  
History  
- First release  
- Typo corrected  
1.1  
- Change Current SPEC  
- Correct Typo.  
1.2  
August  
2008  
3 of 45  
Rev. 1.2 August 2008  

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