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M471B5773DH0-CMA PDF预览

M471B5773DH0-CMA

更新时间: 2024-01-12 15:30:02
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
37页 1095K
描述
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.195ns, CMOS, SODIMM-204

M471B5773DH0-CMA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DIMM, DIMM204,24Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.195 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK):933 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N204长度:67.6 mm
内存密度:17179869184 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:204
字数:268435456 words字数代码:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:256MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM204,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:30.15 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.096 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.16 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL宽度:3.8 mm
Base Number Matches:1

M471B5773DH0-CMA 数据手册

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Rev. 1.4  
Unbuffered SODIMM  
datasheet  
DDR3 SDRAM  
17.2 256Mbx8 based 512Mx64 Module (2 Ranks) - M471B5273DH0  
Units : Millimeters  
0.10 M C A B  
63.60  
67.60  
Max 3.8  
1.00 ± 0.10  
24.80  
21.00  
A
B
39.00  
2X 1.80  
0.10 M C A B  
(OPTIONAL HOLES)  
2X 4.00 ± 0.10  
0.10 M C A B  
0.60  
0.45 ± 0.03  
1.65  
4.00 ± 0.10  
2.55  
0.25 MAX  
1.00 ± 0.10  
Detail A  
Detail B  
The used device is 256M x8 DDR3 SDRAM, FBGA.  
DDR3 SDRAM Part NO : K4B2G0846D - HC**  
* NOTE : Tolerances on all dimensions ±0.15 unless otherwise specified.  
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