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M470T6554CZ0-CCC

更新时间： 2024-11-23 22:08:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
18页 329K
描述
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC

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M470T6554CZ0-CCC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SODIMM包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.7Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XZMA-N200
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64湿度敏感等级：2
功能数量：1端口数量：1
端子数量：200字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：64MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM200,24封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.064 A子类别：DRAMs
最大压摆率：1.34 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：0.6 mm端子位置：ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

M470T6554CZ0-CCC 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2 Unbuffered SODIMM  
200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die  
64bit Non-ECC  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED  
ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.  
1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or  
defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M470T6554CZ0-CD5 SAMSUNG

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 		DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
M470T6554CZ0-CD6 SAMSUNG

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 		DDR2 Unbuffered SODIMM
M470T6554CZ0-CE6 SAMSUNG

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 		DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
M470T6554CZ0-CE7 SAMSUNG

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 		DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
M470T6554CZ0-CF7 SAMSUNG

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 		DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6554CZ0-CLCC SAMSUNG

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 		DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC
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