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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SODIMM |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.7 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470T6554CZ0-LE7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T6554CZ0-LF7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T6554CZ3-CCC | SAMSUNG |
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DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CD5 | SAMSUNG |
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DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
|
| M470T6554CZ3-CE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CLCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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| M470T6554CZ3-CLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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