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M471B2873FHS-CF8

更新时间： 2024-10-01 21:03:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	950K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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M471B2873FHS-CF8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIMM,	针数：	204
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.82
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.3 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N204
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	204
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M471B2873FHS-CF8 数据手册

Rev. 1.31, Dec. 2010

M471B2873FHS

M471B5673FH0

204pin Unbuffered SODIMM

based on 1Gb F-die

78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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