生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DMA |
包装说明: | DIMM, DIMM204,24 | 针数: | 204 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N204 |
长度: | 67.6 mm | 内存密度: | 8589934592 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 204 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 95 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM204,24 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 30.15 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.08 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 1.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.6 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M471B2873GB0-CMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX64, 0.6ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
M471B2873GB0-YK0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204 | |
M471B2874DZ1-CF7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204 | |
M471B2874DZ1-CF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204 | |
M471B2874DZ1-CG8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204 | |
M471B2874DZ1-CH9 | SAMSUNG |
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DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-204 | |
M471B2874EH1 | SAMSUNG |
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DDR3 SDRAM Memory | |
M471B2874EH1-CF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
M471B2874EH1-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
M471B5173QH0-YK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 |