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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIMM, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY; WD-MAX |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N204 | 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 34359738368 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 204 |
| 字数： | 536870912 words | 字数代码： | 512000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512MX64 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度： | 30.13 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 3.8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M471B5273BH1 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
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| M471B5273CH0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
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| M471B5273CH0-CK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX8, 0.225ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 |
|
| M471B5273DH0-CF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX64, 0.3ns, CMOS, SODIMM-204 |
|
| M471B5273DH0-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX64, 0.255ns, CMOS, SODIMM-204 |
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| M471B5273DH0-CK0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX64, 0.225ns, CMOS, SODIMM-204 |
|
| M471B5273DH0-CMA | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX64, 0.195ns, CMOS, SODIMM-204 |
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| M471B5673EH1 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |
|
| M471B5673EH1-CF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 |
|
| M471B5673EH1-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 |
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