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M470T6554EZ3-LD5

更新时间： 2024-10-01 21:04:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	353K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470T6554EZ3-LD5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SODIMM-200
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	长度：	67.6 mm
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度：	30.15 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	3.8 mm	Base Number Matches：	1

M470T6554EZ3-LD5 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb E-die

64bit Non-ECC

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.4 April 2007

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M471B2873FHS	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
M471B2873FHS-CF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
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