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M471B2873EH1-CH9

更新时间： 2024-10-01 18:42:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	615K
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DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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M471B2873EH1-CH9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM204,24
针数：	204	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N204
长度：	67.6 mm	内存密度：	8589934592 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM204,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	3.8 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.08 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.84 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	30 mm	Base Number Matches：	1

M471B2873EH1-CH9 数据手册

Unbuffered SoDIMM

DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM Specification

204pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb E-die

64-bit Non-ECC

78/96 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

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