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M470T6554CZ0

更新时间: 2024-02-21 20:22:42
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三星 - SAMSUNG 双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
20页 271K
描述
DDR2 Unbuffered SODIMM

M470T6554CZ0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SODIMM包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.7Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XZMA-N200
内存密度:4294967296 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:2
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:64MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.064 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.34 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

M470T6554CZ0 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2 Unbuffered SODIMM  
200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die  
64bit Non-ECC  
Revision 1.1  
March 2005  
Rev. 1.1 Mar. 2005  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
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