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M470T5663CZ3-CE6

更新时间： 2024-11-20 21:10:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	295K
描述
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470T5663CZ3-CE6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	内存密度：	17179869184 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	256MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.24 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.6 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

M470T5663CZ3-CE6 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb C-die

64-bit Non-ECC

60FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 June 2007

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M470T5663EH3	SAMSUNG	获取价格	DDR2 SDRAM Memory
M470T5663EH3-CE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T5663EH3-CF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T5663EH3-LE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX8, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T5663EH3-LE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
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