5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SODIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 | 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 30.15 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.08 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.72 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3.8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470T5663EH3-LE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663EH3-LF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX8, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663FB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Memory |
|
| M470T5663FB3-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663FB3-CE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663FB3-CF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663QH3-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663QH3-CE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663QH3-CF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| M470T5663QH3-LE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
