是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MODULE | 包装说明: | DIMM, DIMM200,24 |
针数: | 200 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N200 | 长度: | 67.6 mm |
内存密度: | 17179869184 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 200 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM200,24 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 3.8 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.128 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 2.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.6 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 30 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M470T5663QZ3-LE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 | |
M470T5663QZ3-LF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200 | |
M470T5663QZH3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 SDRAM Memory | |
M470T5669AZ0-C(L)E6/D5/CC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb A-die 64-bit Non-ECC | |
M470T5669AZ0-CCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
M470T5669AZ0-CD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
M470T5669AZ0-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
M470T5669AZ0-CLE6/D5/CC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb A-die 64-bit Non-ECC | |
M470T5669AZ0-LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
M470T5669AZ0-LD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |