Datasheet > M470T6464DZ3-LCC

M470T6464DZ3-LCC

更新时间： 2024-01-16 04:59:50

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	314K
描述
Synchronous DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M470T6464DZ3-LCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.7	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N200	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.032 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.98 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M470T6464DZ3-LCC 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 1Gb D-die

64-bit Non-ECC

84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 April 2007

1 of 17

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与M470T6464DZ3-LCC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M470T6464DZ3-LD5	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464DZ3-LE6	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464DZ3-LE7	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464EHS	SAMSUNG	获取价格	DDR2 SDRAM Memory
M470T6464EHS-CE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464EHS-CE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464EHS-LE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464EHS-LF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464QH3-CE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T6464QH3-LE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

与M470T6464DZ3-LCC相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

5
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

8
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T6464DZ3-LCC

M470T6464DZ3-LCC 技术参数

M470T6464DZ3-LCC 数据手册

与M470T6464DZ3-LCC相关器件

与M470T6464DZ3-LCC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T6464DZ3-LCC

M470T6464DZ3-LCC 技术参数

M470T6464DZ3-LCC 数据手册

与M470T6464DZ3-LCC相关器件

与M470T6464DZ3-LCC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？