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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N200 | 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 17179869184 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 30.15 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.16 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.352 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470T5663FB3-CE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663FB3-CF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663QH3-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663QH3-CE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663QH3-CF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663QH3-LE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| M470T5663QZ3-CE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200 |
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| M470T5663QZ3-LE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200 |
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| M470T5663QZ3-LE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| M470T5663QZ3-LF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-200 |
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