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M470T2953EZ3-LE6

更新时间： 2024-11-24 21:04:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	353K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470T2953EZ3-LE6 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SODIMM-200
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	长度：	67.6 mm
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度：	30.15 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	3.8 mm	Base Number Matches：	1

M470T2953EZ3-LE6 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb E-die

64bit Non-ECC

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 April 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M470T2953EZ3-LE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BG0-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BG3-CCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, SODIMM-200
M470T3354BG3-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, SODIMM-200
M470T3354BG3-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BGZ0-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BGZ3-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BZ0-CCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ0-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BZ0-LCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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