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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SODIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.75 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.012 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.46 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M470L0914ET0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L0914ET0-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L1624BT0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L1624DT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L1624DT0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L1624FT0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM SODIMM |
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| M470L1624FT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
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| M470L1624FT0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM SODIMM |
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| M470L1624FT0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM SODIMM |
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| M470L1624FT0-CB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SDRAM SODIMM |
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