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M466S1723CT3-C1L

更新时间： 2024-11-11 19:46:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	134K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144

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M466S1723CT3-C1L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.92
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.68 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

M466S1723CT3-C1L 数据手册

M466S1723CT3

PC66 SODIMM

M466S1723CT3 SDRAM SODIMM

16Mx64 SDRAM SODIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

GENERAL DESCRIPTION

FEATURE

The Samsung M466S1723CT3 is a 16M bit x 64 Synchronous

Dynamic RAM high density memory module. The Samsung

M466S1723CT3 consists of eight CMOS 16M x 8 bit with

4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a

2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 144-pin glass-epoxy

substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the

printed circuit board in parallel for each SDRAM. The

M466S1723CT3 is a Small Outline Dual In-line Memory Module

and is intended for mounting into 144-pin edge connector sock-

ets.

• Performance range

Part No.

Max Freq. (Speed)

M466S1723CT3-L1L /C1L

100MHz (@ CL=3)

• Burst mode operation

• Auto & self refresh capability (4096 Cycles/64ms)

• LVTTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V ± 0.3V power supply

• MRS cycle with address key programs

Latency (Access from column address)

Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

Data scramble (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

• Serial presence detect with EEPROM

• PCB : Height (1,050mil), double sided component

Synchronous design allows precise cycle control with the use of

system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable latencies allows

the same device to be useful for a variety of high bandwidth,

high performance memory system applications.

PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)

PIN NAMES

Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back

Pin Name

A0 ~ A11

Function

Address input (Multiplexed)

Select bank

VSS

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

51 DQ14 52 DQ46 95 DQ21 96 DQ53

BA0 ~ BA1

DQ0 ~ DQ63

DQ32 53 DQ15 54 DQ47 97 DQ22 98 DQ54

Data input/output

DQ33 55

DQ34 57

VSS

99 DQ23 100 DQ55

CLK0 ~ CLK1 Clock input

NC 101

NC 103

105

VDD

102 VDD

104 A7

DQ3 10 DQ35 59

CKE0

CS0

RAS

CAS

Clock enable input

VDD

106 BA0

108 VSS

110 BA1

Chip select input

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

13 DQ4 14 DQ36

15 DQ5 16 DQ37

107

VSS

Voltage Key

109

17 DQ6 18 DQ38 61 CLK0 62 CKE0 111 A10/AP 112 A11

19 DQ7 20 DQ39 63 64 VDD 113 114 VDD

21 22 65 RAS 66 CAS 115 DQM2 116 DQM6

23 DQM0 24 DQM4 67 WE 68 *CKE1 117 DQM3 118 DQM7

25 DQM1 26 DQM5 69 CS0 70 *A12 119 120 VSS

71 *CS1 72 *A13 121 DQ24 122 DQ56

VDD

DQM0 ~ 7

VDD

DQM

VSS

Power supply (3.3V)

Ground

VSS

VDD

SDA

SCL

Serial data I/O

Serial clock

VSS

74 CLK1 123 DQ25 124 DQ57

VSS 125 DQ26 126 DQ58

NC 127 DQ27 128 DQ59

Don¢t use

No connection

VSS

NC 129

VDD

130 VDD

37 DQ8 38 DQ40 81

VDD

VDD 131 DQ28 132 DQ60

These pins are not used in this module.

39 DQ9 40 DQ41 83 DQ16 84 DQ48 133 DQ29 134 DQ61

41 DQ10 42 DQ42 85 DQ17 86 DQ49 135 DQ30 136 DQ62

43 DQ11 44 DQ43 87 DQ18 88 DQ50 137 DQ31 138 DQ63

** These pins should be NC in the system

which does not support SPD.

47 DQ12 48 DQ44 91

49 DQ13 50 DQ45 93 DQ20 94 DQ52 143

VDD

89 DQ19 90 DQ51 139

92 VSS 141 **SDA 142 **SCL

144 VDD

VSS

140 VSS

VSS

VDD

SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.

Rev. 0.0 April. 1999

12 3 4 5 6 7...9

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与M466S1723CT3-C1L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M466S1723CT3-L1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
M466S1723MT2-L10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.150 INCH HEIGHT, SODIMM-144
M466S1723MT3-L10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.050 INCH HEIGHT, SODIMM-144
M466S1724BT2-C10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.150 INCH HEIGHT, SODIMM-144
M466S1724BT2-L10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.150 INCH HEIGHT, SODIMM-144
M466S1724CT2-C1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
M466S1724CT2-L1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
M466S1724MT2-L10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144
M4670	UTC	获取价格	FITERLESS HIGH EFFICIENCY 3W SWITCHING AUDIO AMPLIFIER
M4670_15	UTC	获取价格	FITERLESS HIGH EFFICIENCY 3W SWITCHING AUDIO AMPLIFIER

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