5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 85 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T40 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 混合内存类型： | N/A |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M46Z256-85PM1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40 |
|
| M46Z256Y-120PL1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,NOVRAM,256KX16,CMOS,DIP,40PIN,PLASTIC |
|
| M46Z256Y-120PM1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA40 |
|
| M46Z256Y-85PL1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IC,NOVRAM,256KX16,CMOS,DIP,40PIN,PLASTIC |
|
| M46Z256Y-85PM1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40 |
|
| M470L0914BT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L0914BT0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L0914BT0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L0914BT0-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
| M470L0914DT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
