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M46Z128-85PM1

更新时间： 2024-11-20 19:55:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	220K
描述
128KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40

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M46Z128-85PM1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.	JESD-30 代码：	R-XDMA-T40
JESD-609代码：	e0	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	16
混合内存类型：	N/A	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP40,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M46Z128Y-120PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA40
M46Z128Y-85PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40
M46Z256-120PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA40
M46Z256-85PL1	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,NOVRAM,256KX16,CMOS,DIP,40PIN,PLASTIC
M46Z256-85PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40
M46Z256Y-120PL1	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,NOVRAM,256KX16,CMOS,DIP,40PIN,PLASTIC
M46Z256Y-120PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA40
M46Z256Y-85PL1	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,NOVRAM,256KX16,CMOS,DIP,40PIN,PLASTIC
M46Z256Y-85PM1	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA40
M470L0914BT0-CA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200