5秒后页面跳转
M372F0803AB0-C600 PDF预览

M372F0803AB0-C600

更新时间: 2024-11-12 20:58:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 965K
描述
DRAM, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168

M372F0803AB0-C600 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.33
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:603979776 bit
内存宽度:72端子数量:168
字数:8388608 words字数代码:8000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.03 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:1.26 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M372F0803AB0-C600 数据手册

 浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M372F0803AB0-C600的Datasheet PDF文件第7页 

与M372F0803AB0-C600相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M372F0803AF0-C600 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
M372F0803BB0-C500 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 8MX72, 50ns, CMOS, PDMA168
M372F0803BF0-C500 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 8MX72, 50ns, CMOS, PDMA168
M372F0803BF0-C600 SAMSUNG

获取价格

DRAM, 8MX72, 60ns, CMOS, PDMA168
M372F0803BJ0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F0803BJ0-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372F0803BT0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F0803CT0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372F0803EJ0-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372F0883EJ0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168