Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W108B100ZN1

M36W108B100ZN1

更新时间： 2024-11-23 12:58:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
35页	248K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48

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M36W108B100ZN1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	LGA	包装说明：	LGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.01
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	ALSO CONTAINS 128K X 8 SRAM
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VLGA	封装等效代码：	LGA48,6X8,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BUTT	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9.8 mm
Base Number Matches：	1

M36W108B100ZN1 数据手册

M36W108T

M36W108B

8 Mbit (1Mb x8, Boot Block) Flash Memory and

1 Mbit (128Kb x8) SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

NOT FOR NEW DESIGN

■ M36W108T and M36W108B are replaced

respectively by the M36W108AT and

M36W108AB

■ SUPPLY VOLTAGE

– V

= V

= 2.7V to 3.6V: for Program,

CCS

CCF

Erase and Read

BGA

LGA

■ ACCESS TIME: 100ns

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Read: 40mA max. (SRAM chip)

– Stand-by: 30µA max. (SRAM chip)

– Read: 10mA max. (Flash chip)

– Stand-by: 100µA max. (Flash chip)

LBGA48 (ZM)

6 x 8 solder balls

LGA48 (ZN)

6 x 8 solder lands

FLASH MEMORY

■ 8 Mbit (1Mb x 8) BOOT BLOCK ERASE

Figure 1. Logic Diagram

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte

CCF CCS

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ MEMORY BLOCKS

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main Blocks

A0-A19

DQ0-DQ7

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

M36W108T

M36W108B

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

E1S

E2S

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code, M36W108T: D2h

– Device Code, M36W108B: DCh

SRAM

AI02509

■ 1 Mbit (128Kb x 8)

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

■ LOW V

DATA RETENTION: 2V

May 1999

1/35

This is information on a product still in production but not recommended for new designs.

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W108B100ZN1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108B100ZN5	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108B100ZN5	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M36W108B100ZN5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108B100ZN5T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108B100ZN6	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108B100ZN6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108B100ZN6T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108B120ZM1	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
M36W108B120ZM1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P

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