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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W108AB100ZN1T
M36W108AB100ZN1T PDF预览

M36W108AB100ZN1T

更新时间： 2024-11-18 22:08:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 253K
描述
8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

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M36W108AB100ZN1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：LGA包装说明：LGA-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.01
最长访问时间：100 ns其他特性：ALSO CONTAINS 128K X 8 SRAM
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VLGA封装等效代码：LGA48,6X8,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BUTT
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：9.8 mmBase Number Matches：1

M36W108AB100ZN1T 数据手册

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M36W108AT  
M36W108AB  
8 Mbit (1Mb x8, Boot Block) Flash Memory and  
1 Mbit (128Kb x8) SRAM Low Voltage Multi-Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V  
= V  
= 2.7V to 3.6V: for Program,  
CCS  
CCF  
Erase and Read  
■ ACCESS TIME: 100ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Read: 40mA max. (SRAM chip)  
– Stand-by: 30µA max. (SRAM chip)  
– Read: 10mA max. (Flash chip)  
– Stand-by: 100µA max. (Flash chip)  
BGA  
LGA  
LBGA48 (ZM)  
6 x 8 solder balls  
LGA48 (ZN)  
6 x 8 solder lands  
FLASH MEMORY  
■ 8 Mbit (1Mb x 8) BOOT BLOCK ERASE  
■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte  
Figure 1. Logic Diagram  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA  
■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits  
■ MEMORY BLOCKS  
V
V
CCF CCS  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main Blocks  
20  
8
A0-A19  
DQ0-DQ7  
RB  
■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
W
EF  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
M36W108AT  
M36W108AB  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
G
BLOCK  
RP  
E1S  
E2S  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code, M36W108AT: D2h  
– Device Code, M36W108AB: DCh  
SRAM  
■ 1 Mbit (128Kb x 8)  
V
SS  
AI02620  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 2V  
CC  
March 1999  
1/36  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...36

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M36W108AB100ZN1T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M36W108AT120ZN1T STMICROELECTRONICS

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 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
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 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W108AB100ZN5 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48
M36W108AB100ZN5T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZN6 STMICROELECTRONICS

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 		Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108AB100ZN6T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB120ZM1 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
M36W108AB120ZM1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
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 		Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
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 		Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
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