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M368L3223JUS

更新时间: 2024-02-20 21:14:38
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
10页 235K
描述
DDR SDRAM Product Guide

M368L3223JUS 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM184Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N184内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:184字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192子类别:DRAMs
最大压摆率:2.4 mA标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M368L3223JUS 数据手册

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General Information  
DDR SDRAM  
C. Industrial temp DDR SDRAM Component Product Guide  
Package*1 & Power*2 & Speed*3  
Density  
Bank  
Part Number  
Org.  
Interface Refresh  
Power (V)  
Package  
Avail.  
UICC/IB3/IB0  
UPCC/PB3/PB0  
66pinTSOPII  
*4  
256Mb H-die  
4Banks K4H561638J  
4Banks K4H561638J  
16M x 16 SSTL_2 8K/64m  
16M x 16 SSTL_2 8K/64m  
Now  
2.5 ± 0.2V  
2.5 ± 0.2V  
ZIB3/IB0  
ZPB3/PB0  
60ball FBGA  
66pinTSOPII  
66pinTSOPII  
60ball FBGA  
66pinTSOPII  
60ball FBGA  
LICC/IB3  
LPCC/PB3  
*4  
*4  
256Mb J-die  
512Mb D-die  
CS  
UIB3/IB0  
UPB3/PB0  
K4H510838D  
4Banks  
64M x 8  
ZIB3/IB0  
ZPB3/PB0  
SSTL_2 8K/64m  
32M x 16  
Now  
2.5 ± 0.2V  
UIB3/IB0  
UPB3/PB0  
K4H511638D  
ZIB3/IB0  
ZPB3/PB0  
Note 2 :  
Note 1 :  
Note 3 :  
: TSOP II (Lead-free)  
: sTSOP II (Lead-free)  
: FBGA (Lead-free)  
U
V
Z
I
Industrial Temperature, Normal Power  
Industrial Temperature, Low Power  
133Mhz  
166Mhz  
200Mhz  
P
CL = 2  
DDR266(A2)  
-
-
CL = 2.5 DDR266(B0) DDR333(B3)  
CL = 3  
- "B3" has compatibility with "A2" and "B0"  
-
- Industrial Temp. (-40°C <Ta< 85°C)  
L
H
F
6
: TSOP II (Lead-free & Halogen-free)  
: FBGA (Lead-free & Halogen-free)  
: FBGA for 64Mb DDR (Lead-free & Halogen-free)  
: sTSOP II (Lead-free & Halogen-free)  
-
-
DDR400(CC)  
Note 4 :  
DDR400  
DDR333/266  
VDD/VDDQ 2.6V ± 0.1V 2.5V ± 0.2V  
December 2007  

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