M368L3223JUS

更新时间： 2024-02-28 13:34:00

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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10页	235K
描述
DDR SDRAM Product Guide

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M368L3223JUS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIMM, DIMM184	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.65 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N184	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.4 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M368L3223JUS 数据手册

General Information

DDR SDRAM

D. DDR SDRAM Module Ordering Information

M X X X L X X X X X X X - X X X

Speed

Power

Memory Module

DIMM Configuration

PCB revision & Type

Package

Data bits

Feature

Component Revision

Composition Component

Depth

Refresh, # of Banks in Comp. & Interface

1. Memory Module : M

7. Composition Component

: x 4

: x 8

: x16

: x 4 Stack

: x 8 Stack

2. DIMM Configuration

3 : DIMM

4 : SODIMM

8. Component Revision

3. Data Bits

M : 1 s t G e n .

B : 3 r d G e n .

D : 5 t h G e n .

F : 7 t h G e n .

H : 9 t h G e n .

A : 2nd Gen.

C : 4th Gen.

E : 6th Gen.

G : 8th Gen

J : 11th Gen.

68 : x64 184pin Unbuffered DIMM

81 : x72 184pin ECC unbuffered DIMM

83 : x72 184pin Registered DIMM

12 : x72 184pin Low Profile Registered DIMM

70 : x64 200pin Unbuffered SODIMM

63 : x64 172pin Micro DIMM

9. Package

U : TSOP II^*1(Lead-Free)

V : sTSOP II^*1(Lead-Free)

TSOP II (400mil)

sTSOP

FBGA

4. Feature

: FBGA^*1(Lead-Free)

(Note 1 : All of Lead-free product are in compliance with RoHS)

L : DDR SDRAM (2.5V VDD)

10. PCB Revision & Type

5. Depth

: Mother PCB

: 2nd Rev.

: Reduced layer PCB

1 : 1st Rev.

3 : 3rd Rev.

16 : 16M

32 : 32M

64 : 64M

28 : 128M

56 : 256M

51 : 512M

17 : 16M (for 128Mb/512Mb)

33 : 32M (for 128Mb/512Mb)

65 : 64M (for 128Mb/512Mb)

29 : 128M (for 128Mb/512Mb)

57 : 256M (for 512Mb)

11. Temp & Power

: Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Normal Power

: Commercial Temp.( 0°C ~ 70°C) & Low Power

6. Refresh, # of Banks in comp. & Interface

4K/ 64ms Ref., 4Banks & SSTL-2

8K/ 64ms Ref., 4Banks & SSTL-2

12. Speed

CC : DDR400 (200MHz @ CL=3, tRCD=3, tRP=3)

B3 : DDR333 (166MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)

A2 : DDR266 (133MHz @ CL=2 , tRCD=3, tRP=3)

B0 : DDR266 (133MHz @ CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)

December 2007

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M368L3313CT1-CA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
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