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M368L1624BT1-LA0

更新时间: 2024-11-11 14:43:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 144K
描述
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

M368L1624BT1-LA0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:,
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.8 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N184内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M368L1624BT1-LA0 数据手册

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184pin Unbuffered DDR SDRAM MODULE  
M368L1624BT1  
128MB DDR SDRAM MODULE  
(16Mx64 based on 16Mx16 DDR SDRAM)  
Unbuffered 184pin DIMM  
64-bit Non-ECC/Parity  
Revision 0.9  
June. 2001  
Rev. 0.9 June. 2001  

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