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M368L1624DTM-CB3 PDF预览

M368L1624DTM-CB3

更新时间： 2024-11-11 21:13:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 77K
描述
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

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M368L1624DTM-CB3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.32
风险等级：5.73访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N184内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：64
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：184
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM184
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：1.4 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

M368L1624DTM-CB3 数据手册

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M368L1624DTM  
M368L1624DTM DDR SDRAM 184pin DIMM  
16Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM based on 16Mx16  
GENERAL DESCRIPTION  
The Samsung M368L1624DTM is 16M bit x 64 Double Data  
FEATURE  
• Performance range  
Part No.  
Max Freq.  
Interface  
Rate SDRAM high density memory modules.  
M368L1624DTM-CB3 166MHz(6ns@CL=2.5)  
SSTL_2  
The Samsung M368L1624DTM consists of four CMOS 16M  
x 16 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin  
TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy  
substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on  
the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM.  
The M368L1624DTM is Dual In-line Memory Modules and  
intended for mounting into 184pin edge connector sockets.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use  
of system clock. Data I/O transactions are possible on both  
edges of DQS. Range of operating frequencies, programmable  
latencies and burst lengths allow the same device to be useful  
for a variety of high bandwidth, high performance memory sys-  
tem applications.  
• Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V  
• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle  
• Bidirectional data strobe(DQS)  
• Differential clock inputs(CK and CK )  
• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition  
• Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)  
• Programmable Burst length (2, 4, 8)  
• Programmable Burst type (sequential & interleave)  
• Edge aligned data output, center aligned data input  
• Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)  
• Serial presence detect with EEPROM  
• PCB :Height1250 mil, double sided component  
PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)  
PIN DESCRIPTION  
Pin Front Pin Front Pin Front Pin  
Back  
Pin  
Back  
Pin  
Back  
Pin Name  
A0 ~ A12  
Function  
Address input (Multiplexed)  
Bank Select Address  
Data input/output  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VREF 32  
A5  
33 DQ24 63  
34 VSS 64 DQ41  
35 DQ25 65  
62 VDDQ 93  
VSS  
DQ4  
DQ5  
VDDQ  
DM0  
DQ6  
DQ7  
VSS  
NC  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
141  
142  
143  
144  
VSS  
A6  
154  
155  
156 VDDQ  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
/RAS  
DQ45  
DQ0  
VSS  
DQ1  
/WE  
94  
95  
96  
97  
98  
99  
BA0 ~ BA1  
DQ28  
DQ29  
VDDQ  
DM3  
A3  
DQ0 ~ DQ63  
DQS0 ~ DQS7  
/CAS  
VSS  
/CS0  
*/CS1  
DM5  
Data Strobe input/output  
DQS0 36 DQS3 66  
DQ2  
VDD  
DQ3  
NC  
NC  
VSS  
37  
38  
A4  
67 DQS5  
CK1,CK1, CK2, CK2 Clock input  
VDD 68 DQ42  
VSS  
CKE0  
CS0  
Clock enable input  
39 DQ26 69 DQ43 100  
40 DQ27 70 VDD 101  
71 */CS2 102  
VSS 72 DQ48 103  
A1  
DQ30  
VSS  
DQ46  
DQ47  
*/CS3  
Chip select input  
10  
11  
41  
42  
43  
A2  
NC  
NC  
DQ31  
*CB4  
*CB5  
VDDQ  
*CK0  
*/CK0  
VSS  
*DM8  
A10  
*CB6  
VDDQ  
*CB7  
RAS  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
164 VDDQ  
CAS  
12 DQ8  
13 DQ9  
73 DQ49 104 VDDQ  
165  
166  
167  
168  
169  
170  
171  
DQ52  
DQ53  
*A13  
VDD  
DM6  
WE  
44 *CB0 74  
VSS  
/CK2 106  
CK2 107  
47 *DQS8 77 VDDQ 108  
48 A0 78 DQS6 109  
49 *CB2 79 DQ50 110  
105  
DQ12  
DQ13  
DM1  
DM0 ~ DM7  
VDD  
Data - in mask  
14 DQS1 45 *CB1 75  
15 VDDQ 46 VDD 76  
16 CK1  
17 /CK1  
18 VSS  
Power supply (2.5V)  
Power Supply for DQS(2.5V)  
Ground  
VDD  
VDDQ  
VSS  
DQ14  
DQ15  
CKE1  
DQ54  
DQ55  
19 DQ10 50  
VSS 80 DQ51 111  
172 VDDQ  
VREF  
VDDSPD  
Power supply for reference  
20 DQ11 51 *CB3 81  
VSS  
112 VDDQ  
173  
174  
175  
176  
177  
178  
179  
NC  
Serial EEPROM Power  
Supply ( 2.3V to 3.6V)  
21 CKE0 52  
22 VDDQ  
BA1 82 VDDID 113  
KEY 83 DQ56 114  
*BA2  
DQ20  
A12  
VSS  
DQ21  
A11  
DM2  
VDD  
DQ22  
A8  
DQ60  
DQ61  
VSS  
DM7  
DQ62  
DQ63  
KEY  
SDA  
Serial data I/O  
23 DQ16 53 DQ32 84 DQ57 115  
24 DQ17 54 VDDQ 85 VDD 116  
25 DQS2 55 DQ33 86 DQS7 117  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
VSS  
DQ36  
DQ37  
VDD  
SCL  
Serial clock  
SA0 ~ 2  
VDDID  
NC  
Address in EEPROM  
VDD identification flag  
No connection  
26  
27  
VSS  
A9  
56 DQS4 87 DQ58 118  
57 DQ34 88 DQ59 119  
DM4  
180 VDDQ  
28 DQ18 58  
29 A7 59  
VSS 89  
BA0 90  
VSS  
NC  
120  
121  
DQ38  
DQ39  
VSS  
181  
182  
183  
SA0  
SA1  
SA2  
*
These pins are not used in this module.  
30 VDDQ 60 DQ35 91  
31 DQ19 61 DQ40 92  
SDA 122  
SCL 123  
DQ23  
DQ44  
184 VDDSPD  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
Rev. 1.0 Sept. 2002  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M368L1624DTM-CC4 SAMSUNG

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 		DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
M368L1624DTM-CCC SAMSUNG

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 		184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L1624DTM-CCC/C4 SAMSUNG

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 		184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L1624DTM-LC4 SAMSUNG

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 		DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
M368L1624DTM-LCC SAMSUNG

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 		184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L1624DTM-LCC/C4 SAMSUNG

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