5秒后页面跳转
M366S0424AT0-C800 PDF预览

M366S0424AT0-C800

更新时间: 2024-11-06 20:46:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 457K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, PDMA168

M366S0424AT0-C800 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.83
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N168
JESD-609代码:e1内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:3端子数量:168
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.74 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

M366S0424AT0-C800 数据手册

 浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M366S0424AT0-C800的Datasheet PDF文件第7页 

与M366S0424AT0-C800相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M366S0424CT0-C1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424CTF-C100 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS, PDMA168
M366S0424CTS-C1H0 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, PDMA168,
M366S0424CTS-C1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424CTS-C80 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424DTS-C1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424DTS-C80 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424ETS-C7A SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
M366S0424FTS-C1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
M366S0823DT0-C1H SAMSUNG

获取价格

DRAM