是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | DIMM, DIMM168 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 6 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDMA-N168 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 168 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.74 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M366S0424CT0-C1L | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424CTF-C100 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS, PDMA168 | |
M366S0424CTS-C1H0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, PDMA168, | |
M366S0424CTS-C1L | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424CTS-C80 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424DTS-C1L | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424DTS-C80 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424ETS-C7A | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0424FTS-C1H | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366S0823DT0-C1H | SAMSUNG |
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DRAM |