是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | TRI-STATE; ENABLE/DISABLE FUNCTION | 最长下降时间: | 6 ns |
频率调整-机械: | NO | 频率稳定性: | 35% |
JESD-609代码: | e4 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
最大工作频率: | 67 MHz | 最小工作频率: | 1.5 MHz |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
振荡器类型: | HCMOS | 输出负载: | 15 pF |
物理尺寸: | 7.0mm x 5.0mm x 1.9mm | 最长上升时间: | 6 ns |
最大供电电压: | 3.63 V | 最小供电电压: | 2.97 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 45/55 % | 端子面层: | Nickel/Gold (Ni/Au) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M3669 | ETC |
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Mini size of Discrete semiconductor elements | |
M366F0404CT1-C50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0404CT1-C60 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0484BT1-C50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0484CT1-C50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0484CT1-C60 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0803BB2-C500 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, | |
M366F0803BB2-C600 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, | |
M366F0803BJ2-C50 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168 | |
M366F0803BJ2-C60 | SAMSUNG |
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EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 |