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M366F0803CJ2-C50

更新时间： 2024-11-05 14:52:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	463K
描述
EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168

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M366F0803CJ2-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	25.4 mm
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.88 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M366F080(8)3CJ2-C

Unbuffered 8Mx64 DIMM

(8Mx8 base)

Revision 0.0

Jan. 1999

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M366F0803CJ2-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
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M366F0803DJ3-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
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M366F0804BT1-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M366F0804CT1-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M366F0883BJ2-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
M366F0883BJ2-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M366F0883CJ2-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168