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Datasheet > 暂无类别数据> M29W010B45N3E
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M29W010B45N3E

更新时间： 2024-11-19 05:01:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
19页 409K
描述
1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W010B45N3E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.3Is Samacsys：N
最长访问时间：45 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3/e6
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M29W010B45N3E 数据手册

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M29W010B  
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 45ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte typical  
■ 8 UNIFORM 16 Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
V
BLOCK  
CC  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
17  
8
A0-A16  
DQ0-DQ7  
– Device Code: 23h  
■ ECOPACK® PACKAGES AVAILABLE  
W
M29W010B  
E
G
V
SS  
AI02747  
September 2005  
1/19  
1234567...19

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与M29W010B45N3E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W010B45N3F NUMONYX

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 		Flash, 128KX8, 45ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
M29W010B45N3F STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W010B45N3T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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 		128KX8 FLASH 2.7V PROM, 45ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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