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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W010B55K1T
M29W010B55K1T PDF预览

M29W010B55K1T

更新时间： 2024-11-18 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 158K
描述
1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W010B55K1T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.41
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm部门规模：16K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M29W010B55K1T 数据手册

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M29W010B  
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 45ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Byte typical  
■ 8 UNIFORM 16 Kbyte MEMORY BLOCKS  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
V
BLOCK  
CC  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 23h  
17  
8
A0-A16  
DQ0-DQ7  
W
M29W010B  
E
G
V
SS  
AI02747  
March 2000  
1/19  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...19

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与M29W010B55K1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W010B55K3 NUMONYX

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 		128KX8 FLASH 2.7V PROM, 55ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M29W010B55K3 STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W010B55K3E STMICROELECTRONICS

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